Samsung анонсировала три инновационные технологии памяти — zHBM, zNAND-O и BV-NAND, разработанные специально для высокопроизводительных ИИ-вычислений и дата-центров. Новинки используют передовые методы бондинга пластин, позволяя значительно увеличить плотность хранения данных и скорость обмена информацией, что критически важно для обучения и инференса крупномасштабных языковых моделей в условиях растущих требований к пропускной способности памяти.
Технология zHBM (Zoned HBM) ориентирована на оптимизацию работы с памятью в задачах ИИ, позволяя более эффективно управлять доступом к данным и снижать задержки. В свою очередь, zNAND-O представляет собой специализированное решение для хранения данных, которое интегрирует функции управления зонами непосредственно в накопитель, что упрощает работу с большими массивами данных для нейросетей.
Третья разработка, BV-NAND (Bonded Vertical NAND), использует технологию вертикального соединения слоев памяти для достижения рекордной плотности. Этот подход позволяет создавать более компактные и энергоэффективные серверные решения, минимизируя физические ограничения текущих архитектур NAND-флеш памяти. Внедрение этих технологий направлено на устранение «узких мест» в аппаратном обеспечении, с которыми сталкиваются современные центры обработки данных при работе с ИИ-нагрузками.
Ключевые факты
- zHBM оптимизирует управление доступом к памяти для ускорения обучения нейросетей.
- zNAND-O внедряет зональное управление данными на уровне накопителя для повышения производительности.
- BV-NAND использует технологию бондинга пластин для увеличения плотности вертикальной компоновки слоев памяти.
- Все три технологии нацелены на снижение задержек и повышение пропускной способности в ИИ-инфраструктуре дата-центров.